本文应用生长速率可监控装置,采用水平汽相生长方法制备Pb_(1-x)Sn_xTe单晶。实验结果表明:水平汽相生长符合界面稳定性条件,其生长速率与源和长晶界面之间的温差成正比,并且,位错密度由于热场德定而得到降低。用上述方法已成功地生长出直径为30mm的Pb_(1-x)Sn_xTe(=0.2)大单晶,最高生长速率可达每天35克。用Norr腐蚀方法对样品进行处理,在去除切割损伤后显示出来的腐蚀坑密度低达10~4/cm~2。