利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管
投稿时间:2018-06-29  修订日期:2019-03-26  点此下载全文
引用本文:李浩,林春,周松敏,王溪,孙权志.利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管[J].红外与毫米波学报,2019,38(2):223~227].Li Hao,LIN Chun,ZHOU Song-Min,WANG Xi,SUN Quan-Zhi.HgCdTe APD fabricated by Ion Beam Etch[J].J.Infrared Millim.Waves,2019,38(2):223~227.]
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李浩 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院大学 
lihaoxzy@163.com 
林春 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 chun_lin@mail.sitp.ac.cn 
周松敏 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
王溪 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
孙权志 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
中文摘要:碲镉汞雪崩光电二极管是目前第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一。本文提出一种利用离子束刻蚀的工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系。利用此方法制备的截止波长4.8μm的中波器件在17V反向偏置下增益可达1000。对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子。
中文关键词:HgCdTe,雪崩光电二极管,刻蚀,增益,过剩噪声因子
 
HgCdTe APD fabricated by Ion Beam Etch
Abstract:HgCdTe APD is one of the developing trends of third generation inferred FPA detectors. This article presents a new method to fabricate HgCdTe APD by Ion Beam Etch (IBE), and discusses the relation of gain to cutoff wavelength and depletion region thickness. A gain of 1000 at a bias of 17V was achieved in a HgCdTe APD with a cutoff wavelength of 4.8μm fabricated by this method. The noise factor, F, is calculated after a noise spectrum test.
keywords:HgCdTe, APD, IBE, gain, noise factor.
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