GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化
投稿时间:2017-11-28  修订日期:2018-02-27  点此下载全文
引用本文:崔晓然,吕红亮,李金伦,苏向斌,徐应强,牛智川.GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化[J].红外与毫米波学报,2018,37(4):385~388].CUI Xiao-Ran,LYU Hong-Liang,LI Jin-Lun,SU Xiang-Bin,XU Ying-Qiang,NIU Zhi-Chuan.Growth optimization of GaAs-based InAs/AlSb 2DEG structure[J].J.Infrared Millim.Waves,2018,37(4):385~388.]
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崔晓然 西安电子科技大学 微电子学院 cxr_904@163.com 
吕红亮 西安电子科技大学 微电子学院  
李金伦 中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系石家庄  
苏向斌 西北大学 光子学与光子技术研究所西安  
徐应强 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室 yingqxu@semi.ac.cn 
牛智川 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室  
基金项目:国家重点研发计划(2016CBYFB0402403)
中文摘要:采用分子束外延设备 (MBE) , 外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中, 通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度, 分别对比了材料二维电子气特性的变化, 并在隔离层厚度为5nm时, 获得了室温电子迁移率为20500cm2/V·s, 面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品, 为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.
中文关键词:二维电子气  迁移率  高电子迁移率晶体管  分子束外延
 
Growth optimization of GaAs-based InAs/AlSb 2DEG structure
Abstract:In As/Al Sb tw o-dimensional electron gas ( 2 DEG) structures w ere successfully grow n by M BE equipment. 2 DEG characteristics of samples w ere improved by optimizing the the thickness of Al Ga Sb buffer layer, the thickness of In As/Al Sb interface layer, and the thickness of Al Sb spacer. The In As/Al Sb 2 DEG structure sample w ith an electron mobility of 20 500 cm2/V·s and a sheet electron density of 2. 0 × 1012/cm2 w ere achieved w hen the thickness of Al Sb spacer is fixed at 5 nm. It provides a reference for the research and fabrication of In As/Al Sb HEMT.
keywords:2DEG, mobility, high electron mobility transistor(HEMT), molecular bean epitaxy(MBE)
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