短波红外InGaAs线性焦平面数字化输出研究
作者:
作者单位:

中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院大学;上海科技大学,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家科技攻关计划,国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)


Digital output for short-wave infrared InGaAs linear FPA
Author:
Affiliation:

State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science;Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science;University of Chinese Academy of Sciences;Shanghai Tech University,State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science;Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science;Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science;Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science;Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    一种适用于短波红外铟镓砷线性焦平面的数字化输出研究。针对实验室自主研制出的短波红外256×1铟镓砷焦平面,结合SAR ADC的基本原理,以高分辨率、低功耗、小面积为设计原则,设计一款逐次逼近(SAR)模数转换器。ADC采用0.18μm CMOS工艺流片,采用3.3V电压供电,采样率235KS/s,功耗460μW,信噪比66.6dB。将ADC芯片与256×1铟镓砷焦平面在变积分时间条件下进行耦合测试。结果表明ADC芯片可以满足短波红外线列256×1铟镓砷焦平面的应用需求。

    Abstract:

    A specific digital output research on short-wave infrared InGaAs linear focal plane array (FPA) was reported. Coupled with a laboratory self-designed short-wave infrared 256×1 InGaAs FPA, a successive approximation register (SAR) analog to digital convertor (ADC) with high resolution, low power consumption and small size was designed and fabricated in 0.18 μm CMOS process. The chip consumes 460 μW at a sampling rate of 235 KS/s with the power supply of 3.3 V. The signal to noise ratio (SNR) of the ADC chip is 66.6 dB. The ADC chip was also tested at different integral time to convert the 256×1 InGaAs FPA signal. The results show that the ADC chip can meet the application requirements of the 256×1 InGaAs FPA.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

魏杨,王绪泉,黄张成.,黄松垒,方家熊.短波红外InGaAs线性焦平面数字化输出研究[J].红外与毫米波学报,2018,37(3):257~260]. WEI Yang, WANG Xu-Quan, HUANG Zhang-Cheng., HUANG Song-Lei, FANG Jia-Xiong. Digital output for short-wave infrared InGaAs linear FPA[J]. J. Infrared Millim. Waves,2018,37(3):257~260.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2017-10-10
  • 最后修改日期:2018-01-02
  • 录用日期:2018-01-08
  • 在线发布日期: 2018-07-16
  • 出版日期: