HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析
投稿时间:2017-06-09  修订日期:2017-09-10  点此下载全文
引用本文:李金伦,崔少辉,徐建星,袁野,苏向斌,倪海桥,牛智川.HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析[J].红外与毫米波学报,2017,36(6):790~794].LI Jin-Lun,CUI Shao-Hui,XU Jian-Xing,YUAN Ye,SU Xiang-Bin,NI Hai-Qiao,NIU Zhi-Chuan.2DEG characteristics of HEMT THz detector[J].J.Infrared Millim.Waves,2017,36(6):790~794.]
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李金伦 中国人民解放军军械工程学院 导弹工程系 lijinlun@semi.ac.cn 
崔少辉 中国人民解放军军械工程学院 导弹工程系  
徐建星 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室  
袁野 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室  
苏向斌 西北大学 光子学与光子技术研究所  
倪海桥 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室 nihq@semi.ac.cn 
牛智川 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室  
基金项目:科技部“国家重大科学仪器设备开发专项”基金(2012YQ140005)
中文摘要:采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm2/V?S,载流子浓度为1.787E12/cm3的GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气沟道结构,并采用Mathematica软件分别计算了不同沟道宽度时300K、77K温度下GaAs基HEMT结构的太赫兹探测响应率,为HEMT场效应管太赫兹探测器的研究和制备提供了参考依据。
中文关键词:高电子迁移率晶体管  二维电子气  迁移率  太赫兹探测器
 
2DEG characteristics of HEMT THz detector
Abstract:GaAs/AlxGa1-xAs 2DEG samples are prepared by MBE. In the sample preparation process, by changing the Al component, the spacer layer thickness, contrast body doping and delta doping two methods, samples are analyzed by the Hall test in the 300K. It obtains the GaAs/ AlxGa1-xAs 2DEG channel structure with mobility is 7.205E3cm2/VS at room temperature, carrier concentration is 1.787E12/cm3. The THz response rate of GaAs-based HEMT structures with different channel widths at 300K and 77K temperatures is calculated by using Mathematica software. It provides a reference for the research and preparation of HEMT THz detectors.
keywords:HEMT  2DEG  mobility  THz detector
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