磁光—光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级
投稿时间:2016-10-20  修订日期:2017-04-16  点此下载全文
引用本文:祁镇,盛峰峰,朱亮,杨建荣,陈熙仁,邵军.磁光—光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级[J].红外与毫米波学报,2017,36(5):589~593].QI Zhen,SHENG Feng-Feng,ZHU Liang,YANG Jian-Rong,CHEN Xi-Ren,SHAO Jun.Shallow impurity levels in CdZnTe probed by magneto-photoluminescence[J].J.Infrared Millim.Waves,2017,36(5):589~593.]
摘要点击次数: 67
全文下载次数: 64
作者单位E-mail
祁镇 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 zhenqi@mail.sitp.ac.cn 
盛峰峰 中国科学院上海技术物理研究所 材料器件研究中心  
朱亮 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室  
杨建荣 中国科学院上海技术物理研究所 材料器件研究中心  
陈熙仁 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室  
邵军 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室  
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
中文摘要:通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence, PL)光谱测量, 发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试, 获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明: (1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布, 并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.
中文关键词:CdZnTe单晶  ;磁光光致发光光谱;应力;轻空穴
 
Shallow impurity levels in CdZnTe probed by magneto-photoluminescence
Abstract:This paper reports photoluminescence (PL) and magneto-PL study of CdZnTe single crystal grown by Bridgman method. Magneto-PL measurements on two CdZnTe samples in the sample crystal were realized at low temperature with sufficiently high spectral resolution and signal-to-noise ratio. PL spectra reveal that the Te inclusions near the CdZnTe surface affects obviously the PL processes energetically below 1.5 eV. Further analysis with curve-fitting process shows that (1) stress distribution exists inside the CdZnTe sample without Te inclusions, and the stress causes the splitting of the heavy-and light-hole subband. (2) The 1.57-eV PL feature originates from the shallow-donor to valence-band recombination.
keywords:CdZnTe crystal  magneto-photoluminescence  stress  light-hole
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器

版权所有:《红外与毫米波学报》编辑部