用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管
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中国电子科技集团公司第五十五研究所

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0.5 μm InP/InGaAs DHBT for ultra high speed digital integrated circuit
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Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute

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    摘要:

    报道了用于超高速数字集成电路的0.5 μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力.

    Abstract:

    0.5μm InP/InGaAs DHBT with 350/533 GHz ft/fmax and two layers of interconnecting technology were developed for ultra high speed digital integrated circuit (IC) application. A static divide-by-2 frequency divider operating at 100 GHz was demonstrated. As the important parameters of gate delay, base-collector capacitance Ccb and Ccb/IC were analyzed. The value of Ccb/IC as low as 0.4 ps/V was achieved, indicating that frequency divider operating above 150 GHz could be potentially realized.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

牛斌,程伟,张有涛,王元,陆海燕,常龙,谢俊领.用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管[J].红外与毫米波学报,2016,35(3):263~266]. NIU Bin, CHEN Wei, ZHANG You-Tao, WANG Yuan, LU Hai-Yan, CHANG Long, XIE Jun-Ling.0.5 μm InP/InGaAs DHBT for ultra high speed digital integrated circuit[J]. J. Infrared Millim. Waves,2016,35(3):263~266.]

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  • 收稿日期:2015-08-06
  • 最后修改日期:2016-01-08
  • 录用日期:2016-01-12
  • 在线发布日期: 2016-07-28
  • 出版日期: 2016-07-28