(英)具有86mv/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管
投稿时间:2017-04-27  最后修改时间:2017-05-18  点此下载全文
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刘强 上海大学理学院 qiangliu@mail.sim.ac.cn 
蔡剑辉 上海大学理学院 caz1991@mail.sim.ac.cn 
何佳铸 深圳大学材料学院 540339228@qq.com 
王翼泽 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 wangyize@mail.sim.ac.cn 
张栋梁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 dlzhang@mail.sim.ac.cn 
刘畅 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 liuc23@mail.sim.ac.cn 
任伟 上海大学理学院 renwei@shu.edu.cn 
俞文杰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 casan@mail.sim.ac.cn 
刘新科 深圳大学材料学院 xkliu@szu.edu.cn 
赵清太 德国于利希研究中心 Q.Zhao@fz-juelich.de 
基金项目:国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目); 信息功能材料国家重点实验室开放项目 ;广东省公众福利建设基金;深圳科学技术发展基金
中文摘要:在SiO2/Si(P )衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试。通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86mV/dec和约107倍的电流开关比。该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物。由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号,限制了其开关比测量范围。基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现,基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景。
中文关键词:MoS2  背栅器件  SiO2栅氧  良好的亚阈值斜率
 
86mV/dec Subthreshold Swing of Back-gated MoS2 FET on SiO2
Abstract:Back-gated (BG) Multi-layer MoS2 field effect transistors (FETs) have been fabricated on SiO2/Si(P ) substrate and electrically characterized. By optimizing the fabrication process and scaling down the SiO2 thickness to 10 nm, the device exhibit excellent switching performance with a subthreshold swing of 86 mV/dec and an Ion/Ioff ratio ~107. The little hysteresis and small SS jointly suggest tiny magnitude of interface traps or attached oxidate. The noise current induced by gate leakage can affect the measured switch ratio by overwhelming the effective Ioff current defined by VDS. According to the behaviors of MoS2 FETs expressed by this work and others’, BG devices with SiO2 insulator present good performance and valuable potentials underutilized for rich applications.
keywords:MoS2  back-gated device  SiO2 dielectric  excellent subthreshold swing.
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