(英)微波器件建模和MOSFET多胞模型参数提取
投稿时间:2017-02-24  最后修改时间:2017-04-20  点此下载全文
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周影 华东师范大学 信息科学技术学院 18801965859@163.com 
于盼盼 华东师范大学 信息科学技术学院 52141214001@ecnu.cn 
高建军 华东师范大学 信息科学技术学院 jjgao@ee.ecnu.edu.cn 
基金项目:61474044,国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
中文摘要:本文对于金属氧化物半导体场效应管提出了改进的小信号模型,模型中同时考虑了馈线的趋肤效应和器件的多胞结构。在模型参数提取过程中,基本元胞的参数值由传统单胞模型参数决定,其依据为器件的可缩放性。为了验证小信号模型的准确性,本文在三个偏置电压下、在1-40GHz内对栅长为90nm的MOSFET器件进行仿真。仿真数据和测量数据有高度的吻合度,相对传统模型,其精度有所改善。
中文关键词:MOSFET器件、小信号模型、趋肤效应、等效电路、参数提取、半导体器件建模
 
Microwave Modeling and Parameters Extraction of Multi-cell MOSFET Device
Abstract:An improved small-signal model for nanometer metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device is presented in this paper. The skin effect and multiple-cell effect are both taken into account. In the extracting procedure, the parameters of elementary cells are determined from the conventional model based on the scalable rules. This small-signal model is validated by the good agreement between measured and simulated S-parameters of 8 0.6 12 m (number of gate fingers unit gatewidth cells) 90-nm gatelength MOSFET under three bias points up to 40 GHz.
keywords:MOSFET, small-signal model, skin effect, equivalent circuits, parameter extraction, semiconductor device modeling
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