(英)同带泵浦Ho3 激光晶体1.2μm 波段红外激光阈值功率研究
投稿时间:2016-05-30  最后修改时间:2016-08-18  点此下载全文
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陈秀艳 中国科学院上海光学精密机械研究所 空间激光信息技术研究中心/沈阳师范大学 物理科学与技术学院 haomisschen@163.com 
张沛雄 中国科学院上海光学精密机械研究所 强激光材料重点实验室  
冯衍 中国科学院上海光学精密机械研究所 空间激光信息技术研究中心 feng@siom.ac.cn 
杭寅 中国科学院上海光学精密机械研究所  
中文摘要:为探索同带泵浦掺杂Ho3 激光晶体1.2μm波段红外激光输出,采用掺杂浓度为1at%的Ho3 :LLF激光晶体作为激光增益介质,应用两种典型准三能级理论模型,计算了Ho3 5I65I8 能级间跃迁辐射1.19μm激光的阈值功率,分析了泵浦光和激光束腰半径、激光晶体长度、吸收损耗、腔镜反射率等参量与阈值功率的变化关系,得出了吸收损耗是影响阈值功率最敏感因素的重要结论,确定了泵浦阈值功率的范围,为后续1.2μm波段红外激光实验研究提供了可靠的理论参考数据。
中文关键词:1.2μm红外激光  同带泵浦  Ho3 激光晶体  阈值功率
 
Research on the threshold power of 1.2μm infrared laser by in-band pumped Ho3 -doped crystal
Abstract:In order to explore the 1.2μm infrared laser generation from Ho3 -doped crystal, it is firstly discussed the threshold power of 1.19μm laser emitted between 5I6 and 5I8 level from in-band pumped Ho3 :LLF crystal (1at%). By means of two typical quasi-three-level models, the relationships of threshold power with absorption coefficient, beam radius, crystal length and reflectivity of output coupler mirror are analyzed. It is found that the re-absorption loss is the most important factor for laser threshold in laser system. The threshold power range is cleared. And the results present reliable references for further Ho3 -doped 1.2μm solid-state laser design and experimental study.
keywords:1.2μm  infrared laser, in-band  pumped, Ho3 -doped  crystal, threshold  power
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