| 2011年第3期目录
太赫兹与毫米波技术 40周年专刊 | | | Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备及其表征 | | 崔艳峰,袁声召,王善力,胡古今,褚君浩 | | 2011,30(3):198-201 [摘要(2551)] [PDF 648.82 K (2364)] | | | | 近红外飞秒激光诱导非晶硅薄膜的晶化 | | 戴晔,何敏,阎晓娜,马国宏 | | 2011,30(3):202-205 [摘要(2305)] [PDF 1.20 M (2198)] | | | | 半导体氮化物AlInN的光学性质 | | 蒋立峰,沈文忠,郭其新 | | 2011,30(3):207-211 [摘要(4476)] [PDF 668.88 K (2633)] | | | | CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响 | | 柯福顺,付相宇,段国玉,吴松,王松有,陈良尧,賈瑜 | | 2011,30(3):212-216 [摘要(2547)] [PDF 834.15 K (2192)] | | | | Ag纳米颗粒有机薄膜受激辐射增强研究 | | 赵选科,吴朝新,徐国金,梁世雄,侯洵 | | 2011,30(3):217-221 [摘要(2555)] [PDF 768.45 K (2311)] | | | | 基于非周期极化铌酸锂晶体产生任意频率太赫兹辐射 | | 毋雪,朱巧芬,张岩 | | 2011,30(3):221-223 [摘要(2378)] [PDF 546.09 K (2399)] | | | | 退火对用PLD法制备ZnO薄膜的发光影响 | | 魏显起,王勇杰,张仲 | | 2011,30(3):224-228 [摘要(2372)] [PDF 580.41 K (2552)] | | | | Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响 | | 张蕾,邢怀中,黄燕,张会媛,王基庆 | | 2011,30(3):229-233 [摘要(3292)] [PDF 655.60 K (2462)] | | | | 掺杂浓度对BaF2:PbWO4闪烁晶体闪烁性质的影响 | | 万尤宝,吴宇容,张建新,杨培志,肖林荣,杨辉 | | 2011,30(3):232-235 [摘要(2541)] [PDF 744.08 K (2189)] | | | | 等离子体辅助电子束蒸发低温制备SiO2纳光子薄膜 | | 盛明裕,赵源,刘富强,胡巧多,郑玉祥,陈良尧 | | 2011,30(3):237-241 [摘要(2590)] [PDF 1.33 M (2395)] | | | | 半无限板条中任意形亚表面缺陷的热波散射 | | 马晓波,谈和平,胡 超 | | 2011,30(3):242-246 [摘要(2783)] [PDF 465.39 K (2115)] | | | | 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能 | | 包西昌,张文静,刘诗嘉,李超,李向阳 | | 2011,30(3):246-249 [摘要(2371)] [PDF 808.58 K (2272)] | | |
图像处理及软件仿真 太赫兹与毫米波技术 红外材料与器件 | | | 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片 | | 叶振华,黄建,尹文婷,冯婧文,陈洪雷,陈路,廖清君,林春,胡晓宁,丁瑞军,何力 | | 2011,30(3):260-262 [摘要(2492)] [PDF 676.61 K (2508)] | | |
红外及光电技术与应用 红外材料与器件 红外及光电技术与应用 红外光谱与光谱分析 红外及光电技术与应用
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