摘要:第五届全国毫米波-亚毫米波学术讨论会于1991年5月14～18日在青岛市召开,会议取得园满成功。这次会议由中国电子学会电波传播学会和中国电波传播研究所主办。共同发起单位包括IEEE北京分部、中国计量测试学会和中国电子学会所属七个专业学会,以及山东、青岛两个地方电子学会。这是一次垮学会的横向大联合的会议,又是一次基础学科与系统应用相结合的会议。出席会议的代表有192名,会议论文有184篇。国际知名电波学者美国乔治亚理工学院的RobertW。

摘要:从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5～50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。

摘要:报道在超真空系统中利用激光光声振动谱研究表面吸附的实验结果。通过振动谱在高背景气压下的可逆物理吸附及位相甄别法研究NH_3分子双层吸附生长机理等实例,展示出激光光声谱是一种较理想的表面吸附研究手段。

摘要:用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜具有较好的热稳定性。

摘要:用反射消光式椭圆偏振光谱研究了射频溅射法制备的不同衬底温度和不同掺钇浓度下的α-Si:H(Y)膜在可见光区的光学性质,结果与透射谱一致。由红外吸收谱判断膜中氢含量和存在形式随生长条件和掺钇浓度变化。

摘要:报道了组分y=0.76和0.84的晶格匹配In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP多量子阱的子能带结构低温光调制反射光谱研究结果,在0.9～1.5eV光子能量范围观察到限制的电子与空穴子带间的激子跃迁,还观察到限制的电子子带与空穴连续态间的跃迁,由此比较直接地确定了价带的不连续量,得到不连续因子Q_v=0.65±0.02。

摘要:采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10~(-11)eV/Pa和β=-7.7×10~(-21)eV/Pa~2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10~(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe~(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe~(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。

摘要:针对CCLID用于摇扫式扫描,导出了其积分、转移调制传递函数MTF_I、MTF_T。对它们的取值情况进行了讨论并给出了工程估算结果。

摘要:根据二维热传导方程计算了塑料、二氧化硅及锰钢的缺陷显示度。分析了缺陷显示度与延迟时间、缺陷大小以及缺陷离表面距离之间的关系。

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摘要:提出一种新的热释电现象,并对这种热释电现象的原理作定性阐述,同时给出室温条件下由这种热释电现象产生的电位变化及由此引起的气体放电电流脉动的实验结果。

摘要:研究了卤化铊晶体的折射率温度效应,结果表明晶格常数变化引起的带宽变化对这类晶体折射率温度系数的影响不可忽视,且是负贡献。理论算得的折射率温度系数与实验结果一致。

摘要:报道了立方晶体GaAs:Cr在外电场作用下的红外光折交增强效应,着重分析双光束耦合过程中空间电荷电场幅度和位相的空间分布变化情况。计算结果很好地解释了实验测量结果。

摘要:根据电磁理论和量子力学原理,分析了材料的微观结构和红外辐射之间的关系。在实验基础上,得出研制高性能红外辐射材料的有效途径。

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