1.上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 200093;2.中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;3.上海师范大学 数理学院，上海 200234;4.中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
TN215
国家自然科学基金（11574336， 11991063）；中国科学院战略性先导科技专项（XDB43010200）；上海市自然科学基金（18JC1420401， 19ZR1465700， 14ZR1446200）
1.School of Materials Science and Engineering， University of Shanghai for Science and Technology， Shanghai 200093， China;2.State Key Laboratory of Infrared Physics， Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China;3.Mathematics and Science College， Shanghai Normal University， Shanghai 200234， China;4.State Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors， Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China
Supported by the National Natural Science Foundation of China （11574336， 11991063）， The Strategic Priority Research Program of Chinese Acdemy of Sciences （XD43010200）， STCSM （18JC1420401， 19ZR1465700， 14ZR1446200）
张帅君,李天信,王文静,李菊柱,邵秀梅,李雪,郑时有,庞越鹏,夏辉.平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究[J].红外与毫米波学报,2022,41(1):262~268]. ZHANG Shuai-Jun, LI Tian-Xin, WANG Wen-Jing, LI Ju-Zhu, SHAO Xiu-Mei, LI Xue, ZHENG Shi-You, PANG Yue-Peng, XIA Hui. SCM study on the 2D diffusion behavior of p-type impurities in planar InGaAs detectors[J]. J. Infrared Millim. Waves,2022,41(1):262~268.]
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