一种采用双耦合等效跨导增强技术的94GHz CMOS LNA
作者:
作者单位:

1.华东师范大学 微电子电路与系统研究所上海 200241;2.华东师范大学 上海市多维度信息处理重点实验室上海 200241

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通讯作者:

中图分类号:

TN432

基金项目:

华东师范大学“幸福之花”先导研究基金项目华东师范大学“幸福之花”先导研究基金项目


A 94GHz CMOS LNA utilizing dual-coupling Gm-boosting technique
Author:
Affiliation:

1.Institute of Microelectronic Circuits and Systems, East China Normal University, Shanghai 200241, China;2.Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, East China Normal University, Shanghai 200241, China

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    摘要:

    采用55 nm CMOS工艺,设计了一款应用于毫米波成像系统的94 GHz低噪声放大器(LNA)。提出一种双耦合等效跨导增强技术,在提高增益的同时,实现良好的宽带输入匹配。使用中和电容技术和共栅管栅端短接技术,进一步提高增益,并保证放大器的高频稳定性。芯片测试结果表明,LNA的小信号增益最大值达到14.2 dB,3 dB带宽为87.1~95 GHz,噪声系数为6.7 dB,输入1 dB压缩点为-13 dBm。

    Abstract:

    A 94 GHz mm-Wave LNA targeted for imaging system is designed and fabricated in 55 nm CMOS process. The dual-coupling gm-boosting technique is proposed to achieve high gain and wide-band input matching. Meanwhile, in order to improve the gain and ensure the stability of the proposed LNA, the capacitance neutralization method and the common-gate-shorting technique are simultaneously introduced. The measurement results indicate that the LNA achieves a small signal gain of 14.2 dB, a BW-3dB of 87.1~95 GHz, a NF of 6.7dB as well as an input-referred 1 dB compression point of -13 dBm.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张凯娟,石春琦,张润曦.一种采用双耦合等效跨导增强技术的94GHz CMOS LNA[J].红外与毫米波学报,2020,39(3):306~310]. ZHANG Kai-Juan, SHI Chun-Qi, ZHANG Run-Xi. A 94GHz CMOS LNA utilizing dual-coupling Gm-boosting technique[J]. J. Infrared Millim. Waves,2020,39(3):306~310.]

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  • 收稿日期:2019-10-15
  • 最后修改日期:2020-03-24
  • 录用日期:2019-12-31
  • 在线发布日期: 2020-03-18
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