TN322.8
国家重点基础研究发展规划(973计划)?
金智,程伟,刘新宇,徐安怀,齐鸣.一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)[J].红外与毫米波学报,2009,28(2):]. JIN Zhi, CHENG Wei, LIU Xin-Yu, XU An-Huai, QI Ming. HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f_t OF 176GHz[J]. J. Infrared Millim. Waves,2009,28(2).]
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