TN304.93
山西大学科研基金
以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质.分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N.的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用.因此,ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态.对界面态本质讨论的结果认为,应区分界面态密度N.及有效界面态密度ns,在做上述区分后,导电机理的解释及势垒高度Φb的计算将更趋于合理化.
孟继轲,李莉. ZnO压敏陶瓷界面态起源与本质的研究[J].红外与毫米波学报,2008,27(5):37~40]. MENG Ji-ke, LI Li. Research on Origin and Essence of ZnO Varistor Interface States[J]. J. Infrared Millim. Waves,2008,27(5):37~40.]
