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应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究
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TN454

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国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划)


STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS
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    针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6 Ω·cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.

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引用本文

张明俊,孙长征,蔡鹏飞,熊兵,罗毅.应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究[J].红外与毫米波学报,2007,26(5):344~348]. ZHANG Ming-Jun, SUN Chang-Zheng, CAI Peng-Fei, XIONG Bing, LUO Yi. STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2007,26(5):344~348.]

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  • 收稿日期:2006-12-21
  • 最后修改日期:2007-06-18
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