新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器
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TN713

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国家自然科学基金


NOVEL COMPOSITE-CHANNEL Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT MMIC VCO WITH LOW PHASE NOISE
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    设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果.

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引用本文

程知群,蔡勇,刘杰,周玉刚,刘稚美,陈敬.新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器[J].红外与毫米波学报,2007,26(4):241~245]. CHENG Zhi-Qun, CAI Yong, LIU Jie, ZHOU Yu-Gang, LIU Zhi-Mei, CHEN Jing. NOVEL COMPOSITE-CHANNEL Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT MMIC VCO WITH LOW PHASE NOISE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2007,26(4):241~245.]

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  • 收稿日期:2006-12-05
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