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首页 > 过刊浏览>2006年第25卷第1期 >6-9
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短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制
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TN2

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国家“973”项目基金（G20000683）国家“863”项目基金（2002AA313040）.


FABRICATION OF SHORT WAVELENGTH INFRARED InCcaAs/InP PHOTOVOLTAIC DETECTOR SERIES
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    摘要:

    采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室温下的截止波长分别约为1．9μm，2，2μm．和2．5μm．对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征，结果表明在室温下其R0A乘积分别为765，10．3和12．7Ωcm^2，比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级．瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作，实测响应速度已达数十ps量级．

    Abstract:

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引用本文

张永刚 顾溢 朱诚 郝国强 李爱珍 刘天东.短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制[J].红外与毫米波学报,2006,25(1):6~9]. ZHANG Yong-Gang, GU Yi, ZHU Cheng, HAO Guo-Qiang, LI Ai-Zhen, LIU Tian-Dong. FABRICATION OF SHORT WAVELENGTH INFRARED InCcaAs/InP PHOTOVOLTAIC DETECTOR SERIES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2006,25(1):6~9.]

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  • 收稿日期:2005-04-15
  • 最后修改日期:2005-10-16
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