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Pb（Zr0.3Ti0.7）O3热释电薄膜材料研究
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TB39 O484

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国家九七三重大基础研究（51310204）资助项目


INVESTIGATION ON Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 PYROELECTRIC THIN FILM MATERIALS
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    利用射频磁控溅射法对0.8Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+0.2PbO的陶瓷靶进行溅射,在5英寸的TiOx/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了PZT薄膜.实验表明,PZT薄膜的取向由(111)到(100)的改变可以通过精确控制基片温度来实现.(111)取向的薄膜具有良好的介电、铁电和热释电性能,其剩余极化强度、介电常数、介电损耗、矫顽场和热释电系数分别为20μC/cm2,370,1.5%,130kV/cm和1.1×10-8C/cm2K,该薄膜可望在非制冷红外焦平面探测器阵列中得到应用.

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引用本文

钟朝位 汪红兵 彭家根 张树人 张万里. Pb（Zr0.3Ti0.7）O3热释电薄膜材料研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(6):405~408]. ZHONG ChaoWei~,WANG Hong-Bing~,PENG Jia-Gen~. INVESTIGATION ON Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 PYROELECTRIC THIN FILM MATERIALS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(6):405~408.]

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  • 收稿日期:2004-12-06
  • 最后修改日期:2005-05-20
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