TN304.12 TN814
国家自然科学基金资助项目(90104003)
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为 1. 5509μm、信道间隔为 200GHz的 5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差 0. 28nm,测试波长间隔与设计值相差在 0. 02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为 0. 7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能.
方青,李芳,刘育梁.基于SOI材料的阵列波导光栅的制作[J].红外与毫米波学报,2005,24(2):143~146]. FANG Qing, LI Fang, LIU Yu-Liang. FABRICATION OF ARRAYED WAVEGUIDE GRATING BASED ON SOI MATERIAL[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(2):143~146.]
