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首页 > 过刊浏览>2005年第24卷第1期 >53-55
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SOI波导弯曲损耗改善方法的研究
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中图分类号:

TN252 TN253

基金项目:

国家科技部“973”计划(G2000 03 66)，“863”计划(20002AA312060)，国家自然科学基金资助项目(60336010)


RESEARCH ON IMPROVED METHODS OF REDUCTION OF BEND LOSS OF SILICON-ON-INSULATOR WAVEGUIDES
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    摘要:

    采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Sillcon-on—insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析．模拟发现，在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗，并且后者的效果更明显．同时通过实验获得了验证．对R=16mm、横向位移为70μm的弯曲波导，通过刻槽方法将插入损耗降低了5dB，基本消除了弯曲所带来的附加损耗.

    Abstract:

    参考文献
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    引证文献
引用本文

陈媛媛 余金中 陈少武 樊中朝. SOI波导弯曲损耗改善方法的研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(1):53~55]. CHEN Yuan-Yuan, YU Jin-Zhong, CHEN Shao-Wu, FAN Zhong-Chao. RESEARCH ON IMPROVED METHODS OF REDUCTION OF BEND LOSS OF SILICON-ON-INSULATOR WAVEGUIDES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(1):53~55.]

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  • 最后修改日期:2004-04-20
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