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660—GHz频段波导型SIS混频器嵌入阻抗的特性研究
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TN773

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国家杰出青年基金 (批准号 1982 5 10 8)资助项目~~


INVESTIGATION OF EMBEDDING IMPEDANCE CHARACTERISTIC FOR A 660-GHZ WAVEGUIDE SIS MIXER
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    基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法，对一660GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个600－720GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究。同时，还系统地分析计算了SIS结芯片的馈点偏移（包括水平偏移和垂直偏移）及芯片厚度和背向短路器长度变化所产生的影响，分析结果表明，该混频器的嵌入阻抗为35Ω左右，而且在整个工作频带内变化缓慢，能够实现宽频带匹配。SIS结芯片馈点的位置对嵌入阻抗没有太大的影响，但芯片厚度的影响非常明显。这些结果对超导SIS混频器的研制有很好的指导意义。

    Abstract:

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引用本文

张文 单文磊 等.660—GHz频段波导型SIS混频器嵌入阻抗的特性研究[J].红外与毫米波学报,2002,21(6):465~468]. Abstract. INVESTIGATION OF EMBEDDING IMPEDANCE CHARACTERISTIC FOR A 660-GHZ WAVEGUIDE SIS MIXER[J]. J. Infrared Millim. Waves,2002,21(6):465~468.]

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