TB34
国家高技术航天领域青年基金(编号: 863-2.00.4)和江苏省教委自然科学基金(编号: 98KJB430001)资助项目
通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTeMIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.
周咏东 周咏东 方家熊 李言谨 龚海梅 吴小山 靳秀芳 汤定元. Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究[J].红外与毫米波学报,2001,20(4):249~252].[J]. J. Infrared Millim. Waves,2001,20(4):249~252.]
