采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜，扫描电镜和X－光衍射分析显示，通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法，在Si(111)衬底上外延的PbSe薄膜晶体质量高，PbSe表面光亮，无形裂现象发生，X－光衍射峰峰宽窄（153arcs)。外延生长的PbSe薄膜被应用于制作光电二极管，首次采用热蒸发金属铝膜在PbSe表面形成Al-PbSe肖特基结光电二极管，获得了比Pb-PbSe肖特基结更为稳定和理想的电流－电压特性曲线。