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GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征
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中图分类号:

TN215

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国家自然科学基金(编号1007468)和国家基础研究重点项目基金资助项目


PHOTOLUMINE SCENCE CHARACTERIZATION IN GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORS
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    对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱（μ－PL）测量，光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关，通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算，获得了Al组分和阱宽值，并由此推算出相应的红外探测响应波长，与光电流谱的结果相比吻合良好，这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。

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引用本文

蔡炜颖 周均铭 等. GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征[J].红外与毫米波学报,2001,20(1):66~68]. CAI Wei-Ying. PHOTOLUMINE SCENCE CHARACTERIZATION IN GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2001,20(1):66~68.]

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  • 最后修改日期:2000-07-27
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