生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究
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TN303 TN383.2

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国家自然科学基金! (编号 6 0 0 76 0 12 )&&


PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF TYPE-
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    测量了生长在(311)A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁,高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动,认为它来源于量子点中Г能谷与价带之间的跃迁,在压力下还观察了一个新的与X相关的发光峰,认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关。

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引用本文

陈晔 周伟 等.生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究[J].红外与毫米波学报,2001,20(1):53~56]. CHEN Ye ) LI Guo Hua ) ZHU Zuo Ming ) HAN He Xiang ) WANG Zhao Ping ) ZHOU Wei ) WANG Zhan Guo ). PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF TYPE-[J]. J. Infrared Millim. Waves,2001,20(1):53~56.]

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  • 最后修改日期:2000-08-14
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