用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响，用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点，比用GaAs做 其发光峰能量向低有端移动，发光峰半高度变窄，量子点发光峰能量随温度的红移幅度较小，理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表面应力导致发光峰红移，而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂，量子点的均匀性得到改善，PL谱半高宽变窄，用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1．3μm发光，室温下PL谱半高宽为19．2meV，是目前最好的实验结果。