利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构，对于第一近邻Ga－N配位，纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近，分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm；当温度从78K增加到300K，GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多，小于0．0005nm，表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强，几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位，R为0．318nm，纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm；在78K和300K时，纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm，这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响，纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大，可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。