研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5?1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5?1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0?1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.
王善忠,谢绳武,庞乾骏,姬荣斌,巫艳,何力. p＋-ZnSe：N单晶薄膜的MBE生长与特性研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5):397~400]. WANG Shang-Zhong, XIE Sheng-Wu, PANG Qian-Jun, JI Rong-Bin, WU Yan, HE Li.[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(5):397~400.]