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首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第5期 >385-388
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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究
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TN304.23

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中国科学院资助项目，19674060，


PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BE ACCEPTOR IN GaAs
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    应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较，将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁，同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁，由实验结果算得Ｂｅ受主的电离能为２８．６ｍｅＶ。

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引用本文

袁先漳 陆卫. GaAs中Be受主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5):385~388]. YUAN Xian-Zhang, LU Wei, SHI Guo-Liang, CHEN Yi-Dong, CHEN Zhang-Hai, LI Ning, SHEN Xue-Chu. PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BE ACCEPTOR IN GaAs[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(5):385~388.]

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