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首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第5期 >343-346
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InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究
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中图分类号:

TN304.22

基金项目:

中国科学院资助项目，国家重点基础研究发展计划(973计划)，69736010,19974045，，，


STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES
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    用简并激发－探测技术研究了７７Ｋ温度下ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点中载流子快速俘获和驰豫过程，在瞬态反射谱测量中，降观察到与ＧａＡｓ有关的驰豫过程外（时间常数约为１ｐｓ），还观察到一个时间常数为几个至２０ｐｓ的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被ＩｎＡｓ层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。

    Abstract:

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引用本文

李晴 葛惟昆. InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5):343~346]. LI Qing, XU Zhong-Ying, GE Wei-Kun. STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(5):343~346.]

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