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首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第3期 >191-193
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原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善
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中图分类号:

TN304.23

基金项目:

科技部攀登计划，中国科学院资助项目，，69776016;19823001，，


THE IMPROVEMET CHARACTERISTICS OF HOMOEPITAXIAL GaAs GROWN BY ATOMIC HYDROGEN-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY
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    利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低，这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。

    Abstract:

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    引证文献
引用本文

王海龙 朱海军.原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善[J].红外与毫米波学报,2000,19(3):191~193]. WANG Hai-Long, ZHU Hai-Jun, NING Dong, WANG Hui, WANG Xiao-Dong, GUO Zhong-Sheng, FENG Song-Lin. THE IMPROVEMET CHARACTERISTICS OF HOMOEPITAXIAL GaAs GROWN BY ATOMIC HYDROGEN-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(3):191~193.]

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