TN304.23
采用红外椭辰我谱研究了与ＧａＳｂ衬底近晶格匹配的不同组分ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品的禁带宽度，并发现在组分ｘ＝０．２￣０．３之间禁带宽度随组分ｘ近似于线性变化。
梁帮立 夏冠群.红外椭圆偏振光谱研究GaxIn1—xAsySb1—y材料的禁带宽度[J].红外与毫米波学报,2000,19(3):188~190]. DETERMINING THE BAND GAP OF GaxIn1-xAsy Sb1-yQUATERNARY ALLOY BY INFRARED ELLIPSOMETRIC SPECTROSCOPY[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(3):188~190.]
