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低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究
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中图分类号:

O471.1 TN304.23

基金项目:

中国科学院资助项目，科技部攀登计划，19823001，，，


STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON LOW TEMPERATURE GaAs EPI-LAYER
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    利用退火技术，实现了在低温ＧａＡｓ外延层上ＩｎＡｓ量子点的生长。透射电镜（ＴＥＭ）研究表明，低温ＧａＡｓ外延层上生长的ＩｎＡｓ量子点比通常生长的ＩｎＡｓ量子眯明显变小，且密度变大，认为是由于低温ＧａＡｓ中的点缺陷以及Ａｓ沉淀引起的：点缺陷释放了部分弹性能，使得量子点变小，而Ａｓ沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱（ＰＬ）上，退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高，且半高宽变窄。

    Abstract:

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    引证文献
引用本文

王晓东 汪辉.低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(3):177~180]. WANG Xiao-Dong, WANG Hui, WANG Hai-Long, NIU Zhi-Chuan, FENG Song-Lin. STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON LOW TEMPERATURE GaAs EPI-LAYER[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(3):177~180.]

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