窄禁带Hg0.79Cd0.21Te的红外光致发光
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TN304.26

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INFRARED PHOTOLUMINESCENCE FROM NARROW GAP Hg0.79Cd0.21Te
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    对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进,引入双调制技术,消除了室温背景黑体辐射在4μm至5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰,在10μm红外波段得到了组分x=0.21窄禁带HgCdTe的光致发光光谱,对光谱的主要结构地进行了指认,发现存在于这种材料中的4meV的杂质能级,其来源是材料中的浅杂质。

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常勇 王晓光.窄禁带Hg0.79Cd0.21Te的红外光致发光[J].红外与毫米波学报,2000,19(3):174~176]. INFRARED PHOTOLUMINESCENCE FROM NARROW GAP Hg0.79Cd0.21Te[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(3):174~176.]

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