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首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第2期 >81-87
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Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology
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the KBN(Poland) under contract，波兰KBN资助项目，PBZ 28.11/P6，PBZ 28.11/P6，，


Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology
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    Abstract:

    In this paper standard techniques for characterization of HgCdTe liquid phase epitaxial layers (LPE) were presented. The performance of long wavelength p-on-n HgCdTe photodiodes fabricated by arsenic diffusion was described. The correlation between LPE HgCdTe material parameters and properties of the infrared photodiodes was demonstrated.

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    引证文献
引用本文

WENUS Jakub, MADEJCZYK Pawel, RUTKOWSKI Jaroslaw. Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology[J].红外与毫米波学报,2000,19(2):81~87]. WENUS Jakub, MADEJCZYK Pawel, RUTKOWSKI Jaroslaw. Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(2):81~87.]

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