II—VI族稀磁半导体ZnTe/Zn1—xMnxTe超晶格光学性质的研究
中图分类号:

TN304.22 O472.3

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    在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。在考虑了样品中晶格中失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Qc和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了x值对轻、重空穴激子能级位置的影响。在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶),还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模。

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引用本文

李海涛 凌震. II—VI族稀磁半导体ZnTe/Zn1—xMnxTe超晶格光学性质的研究[J].红外与毫米波学报,1999,18(2):113~119].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1999,18(2):113~119.]

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