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首页 > 过刊浏览>1999年第18卷第2期 >103-107
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热处理过程中Hg1—xCdxTe／CdTe界面互扩散研究
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TN213 TN304.26

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国家杰出青年基金


INTERDIFFUSION IN Hg 1 x Cd x Te STRUCTURE DURING THERMAL ANNEALING
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    对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．

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引用本文

巫艳 杨建荣.热处理过程中Hg1—xCdxTe／CdTe界面互扩散研究[J].红外与毫米波学报,1999,18(2):103~107]. WU Yang YANG Jian Rong FANG Wei Zheng WANG Shan Li YU Mei Fang QIAO Yi Ming CHEN Xin Qiang HE Li. INTERDIFFUSION IN Hg 1 x Cd x Te STRUCTURE DURING THERMAL ANNEALING[J]. J. Infrared Millim. Waves,1999,18(2):103~107.]

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