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InGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收
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TN213

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中国科学院半导体研究所所长基金


NORMALLY INCIDENT INFRARED ABSORPTION IN VERTICALLY ALIGNED InGaAs/GaAs QUANTUM DOT SUPERLATTICE
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    利用分子束外延技术，生长了３０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格，透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准，红外吸收测试观察以明显的垂直入射红外吸收，吸收范围为８．５～１０．４μｍ之间，峰值波长为９．９μｍ第一次实现了响应８～１２μｍ大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收，这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。

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引用本文

庄乾东 李晋闽. InGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收[J].红外与毫米波学报,1998,17(6):477~480]. ZHUANG Qian Dong LI Jin Min ZENG Yi Ping PAN Liang KONG Mei Ying LIN Lan Ying. NORMALLY INCIDENT INFRARED ABSORPTION IN VERTICALLY ALIGNED InGaAs/GaAs QUANTUM DOT SUPERLATTICE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(6):477~480.]

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