Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN304.23 O482.31

基金项目:

国家自然科学基金,北京大学稀土材料化学应用国家重点实验室基金


SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY OF ERBIUM AND OXYGEN CO IMPLANTED IN GaAs
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

陈辰嘉 周必忠. Er, O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(6):413~417]. CHEN Chen Jia LI Hai Tao WANG Xue Zhong. SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY OF ERBIUM AND OXYGEN CO IMPLANTED IN GaAs[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(6):413~417.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码