Zn1—xMgxSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究
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TN304.26 TN304.054

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国家自然科学基金


INFRARED REFLECTION SPECTRA OF EPITAXIAL Zn 1- x Mg x Se FILMS GROWN ON GaAs SUBSTRATES
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    用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe(0≤x≤1)三元半导体合金薄膜.在室温下测量了这些样品的红外反射光谱.采用介电函数的经典色散理论,并且考虑衬底的影响后,计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较.我们发现对于x<0.2,0.2<x<0.5和x≥0.5三种不同情形,反射光谱表现出不同的结构.

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引用本文

王东红 黄大鸣. Zn1—xMgxSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(6):406~412]. WANG Dong Hong ) HUANG Da Ming ) WEI Yan Feng ) JIN Cai Xia ) WANG Jie ) CHENG Zhang Hai ) LU Wei ). INFRARED REFLECTION SPECTRA OF EPITAXIAL Zn 1- x Mg x Se FILMS GROWN ON GaAs SUBSTRATES[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(6):406~412.]

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