TN304.2 O471.1
国家自然科学基金
在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．
程兴奎 黄柏标. GaAs／AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收[J].红外与毫米波学报,1997,16(5):339~343].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(5):339~343.]
