TN320.1
建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场．模拟结果表明栅电压的改变对ＨＥＭＴ器件跨导产生很大的影响．
张兴宏 杨玉芬.毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟[J].红外与毫米波学报,1997,16(3):226~230]. Zhang Xinghong Yang Yufen Wang Zhanguo. TWO DIMENSIONAL NUMERICAL SIMULATION OF MILLIMETER WAVE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(3):226~230.]
