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首页 > 过刊浏览>1996年第15卷第4期 >291-296
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GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
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O471.3 TN201

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国家自然科学基金


TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITON LINEWIDTHS IN NARROW GaAs/AlGaAs AND InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELLS
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    摘要:

    研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系统随着阱宽的减小而增加，对实验结果作了讨论。

    Abstract:

    Temperature dependence of exciton linewidths in GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlGaAs quantum wells with very narrow well widths was investigated.The increase of the acoustic phonon linear scattering coefficient was found with decreasing well width in low temperature range.The experimental results were discussed.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

金世荣 徐仲英. GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系[J].红外与毫米波学报,1996,15(4):291~296]. TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITON LINEWIDTHS IN NARROW GaAs/AlGaAs AND InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELLS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(4):291~296.]

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