InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
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TN248.4

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InGaAs QUANTUM WELL VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
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    报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器,采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H^+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω。

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引用本文

刘颖 林世呜. InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器[J].红外与毫米波学报,1996,15(3):218~220]. Liu Ying Du Guotong Jiang Xiuying Liu Suping Zhang Xiaobo Zhao Yongsheng Gao Dingsan. InGaAs QUANTUM WELL VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(3):218~220.]

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