光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系
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TN204

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RELATIONSHIP BETWEEN RESISTANCE AND DETECTIVITY OF PHOTOCONDUCTIVE HgCdTe DETECTORS
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    为描述光导HgCdTe探测器低温与室温不同的导电机构,本文定义了一个易于测量的参数γ-液氮温度与室温电阻之比,实验结果表明,多数情况下,γ与黑体探测率密切相关。

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引用本文

姚英 梁宏林.光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系[J].红外与毫米波学报,1996,15(3):195~198]. Yao Ying Liang Honglin. RELATIONSHIP BETWEEN RESISTANCE AND DETECTIVITY OF PHOTOCONDUCTIVE HgCdTe DETECTORS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(3):195~198.]

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