TN201
报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｌ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据，实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０＾１５ｃｍ＾－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致，这被解释为长江红外高背景辐射的结果。
郑为建 朱惜辰.变温长波碲镉汞光电导现象研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(3):189~194]. Zheng Weijian Zhu Xichen Liang Hongling Beo Hongzhen. STUDY OF LWIR PHOTOCONDUCTIVE PHENOMENON OF MCT AT DIFFERENT TEMPERATURE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(3):189~194.]