磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合
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TN304.23 O471.5

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国家攀登计划资助


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    报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好,良好的振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法。

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引用本文

刘剑 李月霞.磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合[J].红外与毫米波学报,1996,15(2):113~117]. Liu Jian Li Yuexia Zheng Houzhi Yang Fuhua Song Aimin Li Chengfang.[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(2):113~117.]

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