磁场下硅中硼受主的光热电离光谱
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O472

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PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BORON ACCEPTOR IN Si UNDER MAGNETIC FIELD
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    用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在0-11T磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明:由于价带的复杂性、浅受主的基态和激发态在磁场下筒并的解除以及大的空穴有效质量,硅中浅受主的塞曼效应较浅施主更为复杂。

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石晓红 刘普霖.磁场下硅中硼受主的光热电离光谱[J].红外与毫米波学报,1996,15(2):98~102]. Shi Xiaohong Liu Pulin Chen Zhanghai Shi Guoliang Shen Xuechu. PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BORON ACCEPTOR IN Si UNDER MAGNETIC FIELD[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(2):98~102.]

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